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              半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

              發布時間:2022-11-18 點擊數:746

              半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

              半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

              半導體材料裝備單片式硅外延生長爐模型

              單片式硅外延生長爐是一種輻射加熱式的、氣體注射式的單晶片處理系統,系統利用化學氣相沉積(CVD)的原理在硅晶片表面生長一層厚度均勻的不摻雜型或摻雜型外延層,適用于直徑分別為6英寸和8英寸的硅晶片。系統生長的外延層厚度可控,其晶體結構與襯底硅晶片相同,屬于同質外延。

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